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AONR32318
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
N
30269 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3)
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AONR32318
Aperçu du produit
13003885
DiGi Electronics Numéro de pièce
AONR32318-DGFabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AONR32318
Description
NInventaire
30269 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3)
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AONR32318 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6360 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
56W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN-EP (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
AONR323
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger AONR32318 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
AONR32318-DG
Fiches techniques
AONR32318
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
785-AONR32318DKR
785-AONR32318TR
5202-AONR32318TR
785-AONR32318CT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
décembre 02, 2025
スタッフが親切で安心して相談できました。発送も遅れることなく、いつも信頼しています。
décembre 02, 2025
I appreciate DiGi Electronics for their transparent pricing, which makes budgeting much easier.
décembre 02, 2025
The after-sales team proactively checks on customers to ensure ongoing satisfaction.
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET N-Channel AONR32318 ?
Le AONR32318 est un MOSFET N-Channel haute performance avec une tension drain-source de 30 V, un courant continu de 50 A, et une faible résistance Rds On de 2,2 mΩ à 20 A et 10 V, adapté aux applications d'alimentation à haute efficacité.
Le AONR32318 est-il compatible avec les conceptions de circuits imprimés en montage en surface ?
Oui, le AONR32318 est disponible en boîtier 8-DFN-EP en montage en surface, ce qui le rend idéal pour des circuits compacts, peu encombrants, et faciles à monter en surface.
Quelles sont les plages de températures de fonctionnement du MOSFET AONR32318 ?
Ce MOSFET fonctionne efficacement entre -55°C et 150°C, ce qui le rend adapté à diverses applications industrielles et électroniques grand public.
Comment le AONR32318 performe-t-il en termes de dissipation de puissance et d'efficacité ?
With a maximum power dissipation of 56W at Tc, the AONR32318 offers excellent thermal performance, supporting high-current, high-power circuit designs.
Le AONR32318 est-il conforme aux normes RoHS et autres standards environnementaux ?
Oui, le AONR32318 est conforme à la norme RoHS3 et n’est pas affecté par les directives REACH, garantissant qu’il répond aux exigences de sécurité environnementale pour les marchés mondiaux.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
AONR32318 CAD Models
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR32318 PCB symbols & footprints
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