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AONR32320C
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN
2824 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 12A (Tc) 3.1W (Ta), 11W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
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AONR32320C

Aperçu du produit

13270507

DiGi Electronics Numéro de pièce

AONR32320C-DG
AONR32320C

Description

MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN

Inventaire

2824 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 12A (Tc) 3.1W (Ta), 11W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
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AONR32320C Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Emballage Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Série -

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 30 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 9.5A (Ta), 12A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 21mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 650 pF @ 15 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 3.1W (Ta), 11W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur 8-DFN-EP (3x3)

Emballage / Caisse 8-PowerVDFN

Numéro de produit de base AONR32320

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

AONR32320C-DG

Fiches techniques

AONR32320C

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
785-AONR32320CDKR
785-AONR32320CCT
5202-AONR32320CTR
785-AONR32320CTR

Pièces alternatives

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
AON7410
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
250151
AON7410-DG
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AON7408
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
35252
AON7408-DG
0.0836
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AON7468-DG
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Questions fréquemment posées (FAQ)

Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET N-Channel AONR32320C ?

Le AONR32320C est un MOSFET N-Channel capable de supporter jusqu’à 30V et 12A de courant sous Tc, avec une faible résistance Rds On (21mΩ à 10V) et un boîtier compact 8-DFN-EP en montage de surface, adapté aux applications à haute efficacité.

Le MOSFET AONR32320C est-il adapté aux environnements à haute température ?

Oui, ce MOSFET fonctionne efficacement dans une plage de températures allant de -55°C à 150°C, ce qui le rend adapté à diverses applications électroniques exigeantes.

Qu'est-ce qui fait du AONR32320C un bon choix pour les projets de commutation de puissance ?

Sa faible Rds On, sa capacité de dissipation thermique élevée (jusqu’à 11W à Tc) et sa charge de grille rapide (20nC) permettent une commutation de puissance efficace, réduisant la chaleur et les pertes d’énergie dans votre conception.

Le AONR32320C est-il compatible avec les procédés standards de montage en surface ?

Oui, ce composant possède un boîtier en montage de surface 8-DFN, conçu pour une intégration facile et fiable dans l’assemblage de circuits imprimés en montage de surface avec une empreinte compacte de 3x3mm.

Le AONR32320C respecte-t-il les normes environnementales et de sécurité ?

Le MOSFET est conforme à la norme RoHS3, non affecté par REACH, et possède un niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) de 1, garantissant une utilisation sûre et respectueuse de l’environnement dans vos produits électroniques.

Assurance qualité (QC)

DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.

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