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CEL
SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
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RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-143
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NE85639-T1-A

Aperçu du produit

12966867

DiGi Electronics Numéro de pièce

NE85639-T1-A-DG

Fabricant

CEL
NE85639-T1-A

Description

SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL

Inventaire

21968 Pièces Nouvelles Originales En Stock
RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-143
Quantité
Minimum 1

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  • 200 0.9464 189.2800
  • 500 0.9137 456.8500
  • 1000 0.8964 896.4000
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NE85639-T1-A Spécifications techniques

Catégorie Transistors, Bipolaire (BJT), Transistors RF Bipolaires

Emballage Tape & Reel (TR)

Série -

État du produit Obsolete

Transistor Type NPN

Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max) 12V

Fréquence - Transition 7GHz

Facteur de bruit (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz

Gagner 13dB

Puissance - Max 200mW

Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce 50 @ 20mA, 10V

Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100mA

Température de fonctionnement 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Emballage / Caisse TO-253-4, TO-253AA

Ensemble d’appareils du fournisseur SOT-143

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

NE85639-T1-A-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.31.0000

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
3923-NE85639-T1-ATR

Pièces alternatives

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
BFR35APE6327HTSA1
Infineon Technologies
3724
BFR35APE6327HTSA1-DG
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Prévention de la contrefaçon et des défauts

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Contrôle visuel et emballage

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