ICE15N60 IceMOS Technology
4.9 / 5.0 - (219 Évaluations)

ICE15N60

Aperçu du produit

13001714

DiGi Electronics Numéro de pièce

ICE15N60-DG

Fabricant

IceMOS Technology
ICE15N60

Description

Superjunction MOSFET

Inventaire

1200 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 600 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220
Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
ICE15N60 Fiche technique
Quantité
Minimum 1

Achat et demande

DEMANDE DE COTATION (Demande de Prix)

Vous pouvez soumettre votre demande de devis directement sur la page de détails du produit ou sur la page de demande de devis. Notre équipe commerciale répondra à votre demande dans les 24 heures.

Méthode de paiement

Nous proposons plusieurs méthodes de paiement pratiques, y compris PayPal (recommandé pour les nouveaux clients), cartes de crédit et virements (T/T) en USD, EUR, HKD et autres.

AVIS IMPORTANT

Après avoir envoyé votre demande de devis, vous recevrez un e-mail dans votre boîte de réception confirmant la réception de votre demande. Si vous ne le recevez pas, il se peut que notre adresse e-mail soit considérée comme un spam. Veuillez vérifier votre dossier de spam et ajouter notre adresse e-mail [email protected] à votre liste blanche pour vous assurer que vous recevrez notre devis. En raison de la possibilité de fluctuations de stock et de prix, notre équipe de ventes doit reconfirmer votre demande ou votre commande et vous envoyer toute mise à jour par e-mail en temps utile. Si vous avez d'autres questions ou avez besoin d'aide supplémentaire, n'hésitez pas à nous le faire savoir.

En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 50 2.2800 114.2100
  • 1000 2.1900 2185.5000
  • 5000 2.0200 10105.0000
  • 15000 1.8400 27621.0000
  • 25000 1.6900 42320.0000
Meilleur prix par demande de devis en ligne
Demander un devis(Expédie demain)
Quantité
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.

ICE15N60 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant IceMOS Technology

Emballage Tube

Série -

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 600 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 15A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V

rds activé (max) @ id, vgs 250mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 2064 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 156W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Through Hole

Ensemble d’appareils du fournisseur TO-220

Emballage / Caisse TO-220-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Télécharger ICE15N60 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML

ICE15N60-DG
Fiches techniques

ICE15N60

Classification environnementale et d'exportation

ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
5133-ICE15N60
Certification DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Produits Connexes
Blogs et Articles
Capacity Shifting and Upgrading of Passive Components (MLCC & Inductors): Trends and Applications
juil. 08 2025
Littelfuse 01500274Z : Porte-fusible en ligne pour la protection des circuits
juil. 02 2025
Comprendre le relais ALE7PB05 : fonctionnalités, applications et où l’acheter
juin 24 2025