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TPHR6503PL1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
68029 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
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TPHR6503PL1,LQ
Aperçu du produit
12994845
DiGi Electronics Numéro de pièce
TPHR6503PL1,LQ-DGFabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR6503PL1,LQ
Description
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZInventaire
68029 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Quantité
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TPHR6503PL1,LQ Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
U-MOSIX-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
150A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.65mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10000 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
960mW (Ta), 210W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP Advance (5x5.75)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger TPHR6503PL1,LQ Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
TPHR6503PL1,LQ-DG
Fiches techniques
TPHR6503PL1
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
264-TPHR6503PL1LQDKR
264-TPHR6503PL1LQCT
TPHR6503PL1,LQ(M
264-TPHR6503PL1LQTR
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décembre 02, 2025
신속한 배송과 친절한 애프터서비스 덕분에 자주 구매하게 됩니다. 항상 신뢰하고 있습니다.
décembre 02, 2025
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décembre 02, 2025
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décembre 02, 2025
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décembre 02, 2025
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décembre 02, 2025
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décembre 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelle est la principale utilisation du MOSFET Toshiba UMOS9 SOP-ADV N-Channel ?
Ce MOSFET est conçu pour les applications de commutation à haute intensité telles que la gestion de puissance, les entraînements de moteurs et les systèmes d'inversion, grâce à sa capacité élevée de courant et son faible Rds On.
Le MOSFET de la série U-MOSIX-H de Toshiba est-il compatible avec les designs standard de PCB en montage en surface ?
Oui, il bénéficie d’un boîtier 8-SOP Advance en montage en surface, ce qui le rend adapté à l'assemblage sur PCB standard et aux designs compacts.
Quelles sont les principales spécifications électriques de ce MOSFET N-Channel ?
Il supporte une tension drain-source de 30V, un courant de drain continu de 150A à 25°C, et possède un Rds On faible de 0,65 mΩ à 50A et Vgs de 10V, garantissant une conduction efficace de la puissance.
Ce MOSFET peut-il fonctionner à des températures élevées, et quelle est sa température maximale de fonctionnement ?
Oui, il peut fonctionner de manière fiable jusqu’à une température maximale de 175°C, ce qui le rend adapté aux applications industrielles exigeantes en puissance.
Le MOSFET Toshiba est-il livré avec une garantie ou une disponibilité en stock pour les commandes en gros ?
Le produit est en stock avec plus de 68 514 pièces disponibles, et en tant qu’article neuf et original, il bénéficie généralement d’une garantie constructeur et d’un support pour les achats en gros.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
TPHR6503PL1,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1,LQ PCB symbols & footprints
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