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SI2303
UMW
SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
31099 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 30 V 1.7A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23
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SI2303

Aperçu du produit

13003754

DiGi Electronics Numéro de pièce

SI2303-DG

Fabricant

UMW
SI2303

Description

SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS

Inventaire

31099 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 30 V 1.7A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23
SI2303 Fiche technique
Quantité
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  • 200 0.0200 4.0000
  • 600 0.0169 10.1400
  • 3000 0.0151 45.3000
  • 9000 0.0135 121.5000
  • 21000 0.0126 264.6000
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SI2303 Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant UMW

Emballage Tape & Reel (TR)

Série UMW

État du produit Active

FET Type P-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 30 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 1.7A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 190mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 155 pF @ 15 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 900mW (Ta)

Température de fonctionnement 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur SOT-23

Emballage / Caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SI2303-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
4518-SI2303CT
4518-SI2303DKR
4518-SI2303TR

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décembre 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)

Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET P-Channel SI2303 ?

Le SI2303 est un MOSFET P-Channel conçu pour les applications en montage en surface, offrant une tension drain-source de 30 V, un courant de drain continu de 1,7 A et une faible résistance Rds On de 190 mΩ à 10 V de Vgs. Il est adapté pour une commutation de puissance efficace.

Le SI2303 est-il adapté aux applications à haute température ?

Oui, le SI2303 peut fonctionner à des températures allant jusqu’à 150 °C (TJ), ce qui le rend approprié pour la gestion de puissance exigeante et les environnements à haute température.

Quelle est la taille et le type de boîtier du MOSFET SI2303 ?

Le SI2303 est livré dans un boîtier en montage en surface SOT-23 (TO-236-3), compatible avec l’assemblage automatisé sur PCB et adapté aux designs nécessitant un espace réduit.

Comment le SI2303 performe-t-il en termes de dissipation de puissance et d’efficacité ?

Ce MOSFET a une dissipation maximale de puissance de 900 mW et offre une faible résistance Rds On, ce qui réduit les pertes de conduction et améliore l’efficacité énergétique globale lors des applications de commutation.

Le MOSFET SI2303 est-il conforme aux normes RoHS et REACH, et quel est son stock disponible ?

Oui, le SI2303 est conforme à la directive RoHS3 et n’est pas affecté par REACH. Plus de 31 000 unités sont en stock pour une livraison rapide et une intégration facilitée pour les OEM.

Assurance qualité (QC)

DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.

Assurance qualité
Prévention de la contrefaçon et des défauts

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Contrôle visuel et emballage

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