SIA430DJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6

38400 Pièces Nouvelles Originales En Stock

N-Channel 20 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

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SIA430DJT-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIA430DJT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA430DJTT1GE3
Price: 0.1665 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (181 reviews)

Aperçu du produit

12786083

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIA430DJT-T1-GE3-DG

Fabricant

Vishay Siliconix

Numéro de produit du fabricant SIA430DJT-T1-GE3

Description

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6

Inventaire

38400 Pièces Nouvelles Originales En Stock

Description détaillée N-Channel 20 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

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QTÉ Prix Cible Prix total
3000 0.1665 499.6053
6000 0.1581 948.3768
9000 0.1499 1349.3610
30000 0.1403 4209.1140

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SIA430DJT-T1-GE3 Spécifications techniques

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Télécharger SIA430DJT-T1-GE3 Spécification du produit (PDF)

Fiche de Données HTML

SIA430DJT-T1-GE3-DG

Fiches techniques

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)

ECCN EAR99

HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard

3,000

Autres noms

742-SIA430DJT-T1-GE3DKR

742-SIA430DJT-T1-GE3CT

742-SIA430DJT-T1-GE3TR

SIA430DJT-T1-GE3-DG

Reviews

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Ra***DOr

décembre 02, 2025

4.9

Leur assistance après-vente m’a laissé une excellente impression, très réactive et compétente.

Bell***oile

décembre 02, 2025

4.9

Une entreprise qui maintient ses standards de qualité tout en proposant des prix raisonnables.

光***めき

décembre 02, 2025

5.0

製品の品質が高くて、長く使えそうです。価格も手頃で大満足です。

Sil***Tree

décembre 02, 2025

4.9

The support staff was cheerful and helpful, making the process enjoyable.

Hope***izon

décembre 02, 2025

4.9

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Questions fréquemment posées (FAQ)

Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET Vishay SIA430DJT-T1-GE3 ?

Le Vishay SIA430DJT-T1-GE3 est un MOSFET N-Channel avec une tension drain-source de 20V, un courant de drain continu de 12A, et un boîtier compact PowerPAK SC-70-6 en montage de surface. Conçu pour une haute efficacité, il présente une faible Rds On, ce qui le rend adapté aux applications de commutation de puissance.

Ce MOSFET Vishay SIA430DJT-T1-GE3 est-il compatible avec une tension de commande gate de 4,5V ou 10V ?

Oui, ce MOSFET peut être piloté à la fois à 4,5V et à 10V de tension gate, avec une Vgs maximale de 20V. Il offre une faible Rds On à 10V, ce qui le rend adapté à différentes configurations de pilotage de la gate.

Quelles applications conviennent au MOSFET Vishay SIA430DJT-T1-GE3 ?

Ce MOSFET est idéal pour la commutation de puissance, la commutation de charge, les contrôleurs de moteur et d'autres circuits électroniques nécessitant des transistors de puissance en montage de surface avec une faible résistance à l'état passant.

Quelle est la plage de température de fonctionnement et le type de montage pour ce MOSFET ?

Le Vishay SIA430DJT-T1-GE3 fonctionne de manière fiable entre -55°C et 150°C, avec un montage en surface (PowerPAK SC-70-6), adapté aux assemblages électroniques compacts.

Le Vishay SIA430DJT-T1-GE3 bénéficie-t-il d'une garantie ou d'un support après achat ?

Étant un composant neuf, d'origine et en stock, il est généralement fourni avec la garantie standard du fabricant. Pour obtenir des informations spécifiques sur la garantie ou le support après-vente, il est conseillé de contacter directement le fournisseur afin d'assurer un service après-vente approprié.

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