SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIA430DJT-T1-GE3

Aperçu du produit

12786083

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIA430DJT-T1-GE3-DG
SIA430DJT-T1-GE3

Description

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6

Inventaire

33300 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 20 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Quantité
Minimum 1

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En Stock (Tous les prix sont en USD)
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  • 9000 0.1500 1349.3600
  • 30000 0.1400 4255.3700
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SIA430DJT-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage Tape & Reel (TR)

Série -

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 20 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 12A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 13.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 10 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 19.2W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Single

Emballage / Caisse PowerPAK® SC-70-6

Numéro de produit de base SIA430

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SIA430DJT-T1-GE3-DG

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIA430DJT-T1-GE3DKR
742-SIA430DJT-T1-GE3CT
742-SIA430DJT-T1-GE3TR
SIA430DJT-T1-GE3-DG
Certification DIGI
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