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SIHG16N50C-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC
1356 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG16N50C-E3
Aperçu du produit
12786075
DiGi Electronics Numéro de pièce
SIHG16N50C-E3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SIHG16N50C-E3
Description
MOSFET N-CH 500V 16A TO247ACInventaire
1356 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG16N50C-E3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AC
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SIHG16
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SIHG16N50C-E3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SIHG16N50C-E3-DG
Fiches techniques
SIHG16N50C-E3
SIHG16N50C-E3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Pièces alternatives
NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
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décembre 02, 2025
Vielen Dank an das Team für den großartigen Service und die zügige Lieferung.
décembre 02, 2025
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décembre 02, 2025
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décembre 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET N-channel Vishay SIHG16N50C-E3 ?
Le Vishay SIHG16N50C-E3 est un MOSFET N-channel haute tension avec une tension drain-source de 500 V, un courant de drain continu de 16 A et une dissipation de puissance pouvant atteindre 250 W. Conçu pour des applications de commutation à haute vitesse, il dispose d’un boîtier TO-247AC pour une fixation robuste.
Le Vishay SIHG16N50C-E3 est-il adapté à la commutation de puissance dans des circuits haute tension ?
Oui, ce MOSFET est spécifiquement conçu pour la commutation de puissance en haute tension, capable de supporter jusqu’à 500 V et de gérer de fortes intensités, ce qui le rend idéal pour les alimentations électriques, les entraînements de moteurs et autres circuits électroniques haute tension.
Quelles sont les principales spécifications du MOSFET Vishay SIHG16N50C-E3 ?
Les principales spécifications incluent une tension drain-source de 500 V, un courant de drain continu de 16 A à 25°C, une résistance Rds On maximale de 380 milliohms à 8 A et 10 V de commande de grille, ainsi qu’une capacité de charge de grille de 68 nC, garantissant une performance de commutation efficace.
Le Vishay SIHG16N50C-E3 est-il compatible avec les conceptions de circuits standard et comment est-il monté ?
Ce MOSFET utilise une fixation à passage de trou avec un boîtier TO-247AC, compatible avec les circuits imprimés standard nécessitant des composants robustes à haute puissance, et est conforme à la norme RoHS3 pour les applications respectueuses de l’environnement.
Le Vishay SIHG16N50C-E3 est-il livré avec une garantie ou un support après-vente ?
Ce MOSFET est un produit neuf, d’origine, en stock, et bénéficie du support du fabricant avec une source fiable. Pour toute demande spécifique concernant la garantie ou le support après-vente, veuillez contacter directement le distributeur ou le fabricant.
Assurance qualité (QC)
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SIHG16N50C-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHG16N50C-E3 PCB symbols & footprints
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