SIHG16N50C-E3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (28 Évaluations)

SIHG16N50C-E3

Aperçu du produit

12786075

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIHG16N50C-E3-DG
SIHG16N50C-E3

Description

MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC

Inventaire

1060 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Quantité
Minimum 1

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En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 1 4.0200 4.0200
  • 10 3.4900 34.8600
  • 100 2.7900 278.9700
  • 500 2.4500 1226.5400
  • 1000 2.1200 2123.2800
  • 2000 2.0000 3998.6100
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SIHG16N50C-E3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage Tube

Série -

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 500 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 16A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V

rds activé (max) @ id, vgs 380mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±30V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 1900 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Through Hole

Ensemble d’appareils du fournisseur TO-247AC

Emballage / Caisse TO-247-3

Numéro de produit de base SIHG16

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SIHG16N50C-E3-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
500

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
STW14NK50Z
STMicroelectronics
3200
STW14NK50Z-DG
3.0831
MFR Recommended
IXTQ16N50P
IXYS
2200
IXTQ16N50P-DG
2.3800
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IXTH24N50L
IXYS
688100
IXTH24N50L-DG
2.5726
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Certification DIGI
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