SIR186LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
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SIR186LDP-T1-RE3

Aperçu du produit

12987949

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIR186LDP-T1-RE3-DG
SIR186LDP-T1-RE3

Description

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE

Inventaire

25615 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 60 V 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Quantité
Minimum 1

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En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 3000 0.3600 1091.4800
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SIR186LDP-T1-RE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage Tape & Reel (TR)

Série TrenchFET® Gen IV

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 60 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 4.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 1980 pF @ 30 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 57W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8

Emballage / Caisse PowerPAK® SO-8

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SIR186LDP-T1-RE3-DG

Fiches techniques

SIR186LDP

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIR186LDP-T1-RE3CT
742-SIR186LDP-T1-RE3DKR
742-SIR186LDP-T1-RE3TR
Certification DIGI
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