SIS426DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8

17091 Pièces Nouvelles Originales En Stock

N-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

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SIS426DN-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIS426DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS426DNT1GE3
Rating: 5.0 (91 reviews)

Aperçu du produit

12785955

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIS426DN-T1-GE3-DG

Fabricant

Vishay Siliconix

Numéro de produit du fabricant SIS426DN-T1-GE3

Description

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8

Inventaire

17091 Pièces Nouvelles Originales En Stock

Description détaillée N-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

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SIS426DN-T1-GE3 Spécifications techniques

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

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Fiche de Données HTML

SIS426DN-T1-GE3-DG

Fiches techniques

SIS426DN

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)

Statut REACH REACH Unaffected

ECCN EAR99

HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard

3,000

Autres noms

SIS426DN-T1-GE3TR

SIS426DN-T1-GE3CT

SIS426DN-T1-GE3DKR

SIS426DNT1GE3

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE

FABRICANT

QUANTITÉ DISPONIBLE

NUMÉRO DE PIÈCE

PRIX UNITAIRE

TYPE DE SUBSTITUT

FDMC8554

onsemi

18592

FDMC8554-DG

0.5604

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Bri***Star

décembre 02, 2025

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Spark***gSoul

décembre 02, 2025

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Ep***ibe

décembre 02, 2025

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Questions fréquemment posées (FAQ)

Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET Vishay SIS426DN-T1-GE3 ?

Le MOSFET SIS426DN-T1-GE3 est un MOSFET de puissance à canal N, avec une tension nominale de 20V et un courant de drain continu de 35A, conçu pour une haute efficacité et une faible résistance Rds(on). Il est équipé d’un boîtier PowerPAK® 1212-8, adapté aux montages en surface, et supporte des températures de fonctionnement allant de -55°C à 150°C.

Ce MOSFET Vishay SIS426DN-T1-GE3 est-il compatible avec les circuits électroniques courants ?

Oui, ce MOSFET est compatible avec divers circuits de puissance, tels que les alimentations à découpage et les pilotes de moteur. Son plage de tension de commande (4,5V à 10V) le rend flexible pour différentes configurations de contrôle, et sa faible Rds(on) garantit une performance efficace.

Quels sont les avantages d’utiliser le boîtier PowerPAK® 1212-8 pour ce MOSFET ?

Le boîtier PowerPAK® 1212-8 offre une excellente conductivité thermique et une conception compacte en montage en surface, facilitant la dissipation thermique efficace et l’optimisation de l’espace sur la carte PCB. Il améliore la fiabilité tout en simplifiant l’assemblage dans les applications haute puissance.

Puis-je remplacer ce MOSFET par des substituts comme le FDMC8554 ?

Oui, le Vishay SIS426DN-T1-GE3 peut être remplacé par des dispositifs compatibles tels que le FDMC8554, à condition que les caractéristiques électriques et les empreintes soient compatibles. Il est toujours recommandé de vérifier la compatibilité avant remplacement pour garantir un fonctionnement optimal.

Quelles options de support après-vente et d’inventaire sont disponibles pour ce MOSFET ?

Ce MOSFET est disponible en stock avec 12 800 unités, livrées neuves et d’origine. Pour le support technique, consultez les fiches techniques du fabricant ou contactez des fournisseurs agréés pour obtenir de l’aide, des informations sur la garantie et le service après-vente.

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