SIS426DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIS426DN-T1-GE3

Aperçu du produit

12785955

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIS426DN-T1-GE3-DG
SIS426DN-T1-GE3

Description

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8

Inventaire

11991 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Quantité
Minimum 1

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SIS426DN-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage -

Série TrenchFET®

État du produit Obsolete

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 20 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 35A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 1570 pF @ 10 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8

Emballage / Caisse PowerPAK® 1212-8

Numéro de produit de base SIS426

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SIS426DN-T1-GE3-DG

Fiches techniques

SIS426DN

SIS426DN

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SIS426DN-T1-GE3TR
SIS426DN-T1-GE3CT
SIS426DN-T1-GE3DKR
SIS426DNT1GE3

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
FDMC8554
onsemi
6300
FDMC8554-DG
0.5500
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