SISA04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SISA04DN-T1-GE3

Aperçu du produit

12787376

DiGi Electronics Numéro de pièce

SISA04DN-T1-GE3-DG
SISA04DN-T1-GE3

Description

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

Inventaire

25754 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Quantité
Minimum 1

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En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 3000 0.4700 1399.5900
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  • 9000 0.4200 3814.2800
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SISA04DN-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage Tape & Reel (TR)

Série TrenchFET®

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 30 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 40A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 2.15mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V

Vgs (max.) +20V, -16V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 3595 pF @ 15 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8

Emballage / Caisse PowerPAK® 1212-8

Numéro de produit de base SISA04

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SISA04DN-T1-GE3-DG

Fiches techniques

SiSA04DN

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH info available upon request
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SISA04DN-T1-GE3DKR
SISA04DN-T1-GE3CT
SISA04DN-T1-GE3TR
SISA04DNT1GE3
Certification DIGI
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