SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIZ920DT-T1-GE3

Aperçu du produit

12786013

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIZ920DT-T1-GE3-DG
SIZ920DT-T1-GE3

Description

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR

Inventaire

12400 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Mosfet Array 30V 40A 39W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Quantité
Minimum 1

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SIZ920DT-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays

Fabricant Vishay

Emballage -

Série TrenchFET®

État du produit Obsolete

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)

Fonctionnalité FET -

Tension de vidange à la source (Vdss) 30V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 40A

rds activé (max) @ id, vgs 7.1mOhm @ 18.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 1260pF @ 15V

Puissance - Max 39W, 100W

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Emballage / Caisse 8-PowerWDFN

Ensemble d’appareils du fournisseur 8-PowerPair® (6x5)

Numéro de produit de base SIZ920

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SIZ920DT-T1-GE3-DG

Fiches techniques

SIZ920DT

SIZ920DT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SIZ920DT-T1-GE3TR
SIZ920DT-T1-GE3DKR
SIZ920DTT1GE3
SIZ920DT-T1-GE3CT

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
12200
SIZ998DT-T1-GE3-DG
0.5200
Direct
Certification DIGI
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